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Product Details

WFD19H-TEB

多芯片共晶机

设备优势

高精度:±3μm的位置精度;

高柔性:多吸嘴切换配置,灵活切换,能兼容多种不同尺寸大小的芯片;

高扩展性:上下料工位灵活配置,Waffle pack、Gel pack、6" Wafer Plastic Rings;

高安全性:双闭环控温监测系统,杜绝安全隐患;

优秀工艺能力:具有COC单管共晶、COC入管壳共晶等工艺能力;

数字式漏晶检测,报警或自动重新拾取芯片功能;Postbond取放精度检测统计;  

机台软件易用 ,编程/转线简单快捷。


WFD19H-TEB

性能参数

项目配置与参数
贴装工艺共晶 (蘸胶、多芯片)
应用场景COC / COS
贴片周期7S (依赖于具体应用)
贴装精度位置XY±1.5μm (标准片) ±3μm (依赖于具体应用)
物料规格芯片尺寸(L-W-H)Min: 0.15 x 0.15 x 0.1mm Max: 5.0 x 5.0 x 2.0mm
基板尺寸(L-W-H)Min: 0.6 x 0.35 x 0.3mm Max: 12.0 x 12.0 x 3.0mm
供料装置芯片供料2个6寸Wafer Ring / 或4X2寸Waffle pack (Gel-pak)更换,可定制托盘
基板供料1个6寸Wafer Ring / 或4X2寸Waffle pack (Gel-pak)
固晶系统顶针模组2套顶针模组自动切换
焊头/吸嘴取晶邦头3支吸嘴, 固晶邦头3支吸嘴(多吸嘴自由切换)
键合力控10-150g±20% / 200-500g±10%
点胶系统蘸胶自定义编程点胶,蘸胶针可根据产品需求定制(形状、尺寸)
温控系统加热方式脉冲加热
温控范围室温23℃ ~ 450℃
升温速率≥100℃/S
降温速率≥50℃/S(450℃-200℃)
共晶区域陶瓷平台14 X 14mm (可定制其他尺寸)
共晶过程氮气保护,多段温控曲线
监控反馈双闭环温度
视觉系统配置4个下视 (固晶相机4X、中转相机4X、晶圆相机2X、下料相机2X )
1个上视 (上视相机2X)
光源配备可编程准直白光、环形RGB三色光
设备/能源重量1500KG
尺寸(L-W-H)1800mm * 1400mm * 1750mm(不含三色灯及FFU)
电源220V 50Hz 3.2KW
压缩空气压力 ≥ 0.5Mpa 接管口径: 8mm
氮气压力 ≥ 0.5Mpa 接管口径: 8mm



万福达专注于半导体封装测试设备的
设计、制造与销售

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